其中的IGBT及IPM，集GTR的低饱和电压特性和MOSFET的高频开关特性于一体，是目前逆变模块中最广泛使用的主流功率器件。IGBT集射电压Vce＜3V，频率可达到20kHZ，内含的集射极间超高速二极管Trr可达150ns。而IPM的投入应用比IGBT约晚两年，由于IPM包含了IGBT芯片及外围的驱动和保护电路，甚至还有的把光耦也集成于一体，因此是一种更好用的集成型功率器件。

　　目前，在模块额定电流10～1200A范围内，通用逆变模块均有采用IPM的趋向。其优点：

　　1. 开关速度快，驱动电流小，控制驱动更为简单内含电流传感器。
　　　
　　2. 可以高效迅速地检测出过电流和短路电流，能对功率芯片给予足够的保护，故障大大降低。
　　
　　3. 由于在器件内部电源电路和驱动电路的配线设计上做到优化，所以浪涌电压，门极振荡，噪声引起的干扰等问题能得到有效控制保护功能较为丰富，如电流保护、电压保护、温度保护一应俱全。